|
| MOQ: | 1pcs |
| 価格: | USD9.99-99.99 |
| 標準パッケージ: | 真空bags+Cartons |
| 配達期間: | 8-9仕事日 |
| 決済方法: | T/T |
| 供給能力: | 1ヶ月あたりの5000pcs |
このシンメトリーハイブリッド10層RF PCBは、トップとボトムの信号層に10milのRO4350Bを使用し、インナー層にはTg170のTU-768 FR4を組み合わせています。すべての銅箔層は1ozの仕上げ銅を使用し、最終的な積層厚は2.5mmです。トップとボトムの両面に緑色のソルダマスクと白色のシルクスクリーンが施され、さらに140%～150%のイマージョンゴールドメッキが適用されています。基板サイズは、ツールエッジを含めて132mm × 76.5mmで、1枚で供給されます。IPC 6012D CLASS-3に準拠して製造されたこのPCBは、ビア内に25μmのメッキ銅を備えています。すべてのスルーホールはレジンでプラグされ、銅メッキで穴の空洞を完全に充填しています。RO4350BFR4TU-768PCB仕様
以下の表は、このハイブリッドPCBのすべての主要な製造パラメータを示しています。
パラメータ
| 詳細 | スタックアップ構造 |
| 10層ハイブリッド誘電体: トップ 10mil RO4350B + インナー Tg170 TU-768 FR4 + ボトム 10mil RO4350B | 全体の仕上げ厚 |
| 2.5 mm | 仕上げ銅重量 |
| 全層で1 oz | 基板寸法 |
| 132mm × 76.5mm (ツールエッジ含む)、±0.15mm公差 | 表面仕上げ |
| イマージョンゴールド (140%-150%) | ソルダマスク & シルクスクリーン |
| トップとボトムに白色シルクスクリーン付き緑色ソルダマスク | 特殊機能 |
| 25μmビア銅; IPC 6012D CLASS-3; 銅メッキ充填によるレジンプラグビア | PCBスタックアップ |
RO4350B & TU-768 FR4 ラミネート紹介
RO4350Bは、マイクロ波およびRFシステムで広く使用されているセラミック充填炭化水素ラミネートです。マイクロ波帯で低い誘電正接を維持し、温度変化の中でも安定した誘電率を持ちます。この材料はRF信号の減衰を最小限に抑え、高周波トレースの正確なインピーダンス調整をサポートします。その熱膨張挙動は標準的なFR4とは著しく異なり、ハイブリッド多層製造において考慮すべき重要な要素です。
TU-768は、170℃のガラス転移温度を持つ高信頼性FR4です。強力な耐熱性と優れたCAF形成耐性を提供します。このラミネートは、層間剥離なしに複数の鉛フリーSMTリフローサイクルに耐え、厚い多層構造に必要な機械的剛性を維持します。標準的なFR4製造ラインでスムーズに加工でき、セラミック高周波ラミネートよりもはるかに低コストです。
用途
大型RFトランシーバーモジュール
1. 外層におけるデュアル10mil RO4350B高周波基板のRF設計価値
トップとボトムの信号層には10milのRO4350Bが選択されています。その低い誘電正接は、マイクロ波およびRFトレースの電力損失を低減し、重要なRFルーティングのインピーダンスを一定に保ちます。
10milの誘電体厚は、柔軟なインピーダンス調整のための十分なスペースを作り出します。エンジニアは、異なるRFトランシーバーモジュールの要件に合わせて、シングルエンドまたは差動ラインインピーダンスを広範囲に調整できます。
外層へのシンメトリーなRO4350B配置は、両側の電気的性能をバランスさせます。この整合されたレイアウトは、アセンブリ全体の電磁干渉を最小限に抑え、非対称な高周波スタックアップに見られる不均一な電界分布を回避します。
2. 内層Tg170 TU-768高Tg FR4のコストと熱バランスの利点
すべての内層でRO4350Bの代わりにTU-768が使用されています。RO4350Bは高価であるため、内層コアとプリプレグをTU-768に切り替えることで、原材料コストを大幅に削減し、10層スタックを量産に適したものにします。
170℃のTg定格を持つTU-768は、繰り返しのSMT熱暴露に耐え、層間剥離に抵抗します。これは、完全セラミック多層基板の一般的な制限である、熱サイクル後の熱安定性と反りの悪さを解決します。
TU-768 FR4は高い機械的強度も提供します。この2.5mm厚の10層基板では、内層のFR4スタックが堅牢な機械的バックボーンとして機能し、積層後のパネルの平坦性を向上させます。
3. この2.5mm厚10層ハイブリッドPCBの積層制御の課題
この10層スタックは、多くの銅層と誘電体層を積み重ねて、最終厚2.5mmに達します。RO4350BとTU-768 FR4はCTE値が不一致です。プレス中、異なる熱膨張率が材料界面に応力を発生させます。製造業者は、応力を徐々に解放し、層間剥離を防ぐために、段階的な加熱とセグメント化された保持時間積層プロファイルを使用する必要があります。
厚い多層ビルドは、層オフセットや不均一な誘電体圧縮を起こしやすいです。精密なレジストレーションターゲットと圧力バランスの取れたプレスプレートは、パネル全体に均等に力を分散させ、層のずれを減らします。
各ラミネート層とプリプレグ層が最終的な基板厚に寄与します。個々のシートのわずかな厚さのずれは、10層にわたって積み重なります。厳格な受け入れ材料検査により、層ごとの厚さ公差を管理し、最終的な基板がターゲットの2.5mm厚を一貫して達成できるようにします。
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| MOQ: | 1pcs |
| 価格: | USD9.99-99.99 |
| 標準パッケージ: | 真空bags+Cartons |
| 配達期間: | 8-9仕事日 |
| 決済方法: | T/T |
| 供給能力: | 1ヶ月あたりの5000pcs |
このシンメトリーハイブリッド10層RF PCBは、トップとボトムの信号層に10milのRO4350Bを使用し、インナー層にはTg170のTU-768 FR4を組み合わせています。すべての銅箔層は1ozの仕上げ銅を使用し、最終的な積層厚は2.5mmです。トップとボトムの両面に緑色のソルダマスクと白色のシルクスクリーンが施され、さらに140%～150%のイマージョンゴールドメッキが適用されています。基板サイズは、ツールエッジを含めて132mm × 76.5mmで、1枚で供給されます。IPC 6012D CLASS-3に準拠して製造されたこのPCBは、ビア内に25μmのメッキ銅を備えています。すべてのスルーホールはレジンでプラグされ、銅メッキで穴の空洞を完全に充填しています。RO4350BFR4TU-768PCB仕様
以下の表は、このハイブリッドPCBのすべての主要な製造パラメータを示しています。
パラメータ
| 詳細 | スタックアップ構造 |
| 10層ハイブリッド誘電体: トップ 10mil RO4350B + インナー Tg170 TU-768 FR4 + ボトム 10mil RO4350B | 全体の仕上げ厚 |
| 2.5 mm | 仕上げ銅重量 |
| 全層で1 oz | 基板寸法 |
| 132mm × 76.5mm (ツールエッジ含む)、±0.15mm公差 | 表面仕上げ |
| イマージョンゴールド (140%-150%) | ソルダマスク & シルクスクリーン |
| トップとボトムに白色シルクスクリーン付き緑色ソルダマスク | 特殊機能 |
| 25μmビア銅; IPC 6012D CLASS-3; 銅メッキ充填によるレジンプラグビア | PCBスタックアップ |
RO4350B & TU-768 FR4 ラミネート紹介
RO4350Bは、マイクロ波およびRFシステムで広く使用されているセラミック充填炭化水素ラミネートです。マイクロ波帯で低い誘電正接を維持し、温度変化の中でも安定した誘電率を持ちます。この材料はRF信号の減衰を最小限に抑え、高周波トレースの正確なインピーダンス調整をサポートします。その熱膨張挙動は標準的なFR4とは著しく異なり、ハイブリッド多層製造において考慮すべき重要な要素です。
TU-768は、170℃のガラス転移温度を持つ高信頼性FR4です。強力な耐熱性と優れたCAF形成耐性を提供します。このラミネートは、層間剥離なしに複数の鉛フリーSMTリフローサイクルに耐え、厚い多層構造に必要な機械的剛性を維持します。標準的なFR4製造ラインでスムーズに加工でき、セラミック高周波ラミネートよりもはるかに低コストです。
用途
大型RFトランシーバーモジュール
1. 外層におけるデュアル10mil RO4350B高周波基板のRF設計価値
トップとボトムの信号層には10milのRO4350Bが選択されています。その低い誘電正接は、マイクロ波およびRFトレースの電力損失を低減し、重要なRFルーティングのインピーダンスを一定に保ちます。
10milの誘電体厚は、柔軟なインピーダンス調整のための十分なスペースを作り出します。エンジニアは、異なるRFトランシーバーモジュールの要件に合わせて、シングルエンドまたは差動ラインインピーダンスを広範囲に調整できます。
外層へのシンメトリーなRO4350B配置は、両側の電気的性能をバランスさせます。この整合されたレイアウトは、アセンブリ全体の電磁干渉を最小限に抑え、非対称な高周波スタックアップに見られる不均一な電界分布を回避します。
2. 内層Tg170 TU-768高Tg FR4のコストと熱バランスの利点
すべての内層でRO4350Bの代わりにTU-768が使用されています。RO4350Bは高価であるため、内層コアとプリプレグをTU-768に切り替えることで、原材料コストを大幅に削減し、10層スタックを量産に適したものにします。
170℃のTg定格を持つTU-768は、繰り返しのSMT熱暴露に耐え、層間剥離に抵抗します。これは、完全セラミック多層基板の一般的な制限である、熱サイクル後の熱安定性と反りの悪さを解決します。
TU-768 FR4は高い機械的強度も提供します。この2.5mm厚の10層基板では、内層のFR4スタックが堅牢な機械的バックボーンとして機能し、積層後のパネルの平坦性を向上させます。
3. この2.5mm厚10層ハイブリッドPCBの積層制御の課題
この10層スタックは、多くの銅層と誘電体層を積み重ねて、最終厚2.5mmに達します。RO4350BとTU-768 FR4はCTE値が不一致です。プレス中、異なる熱膨張率が材料界面に応力を発生させます。製造業者は、応力を徐々に解放し、層間剥離を防ぐために、段階的な加熱とセグメント化された保持時間積層プロファイルを使用する必要があります。
厚い多層ビルドは、層オフセットや不均一な誘電体圧縮を起こしやすいです。精密なレジストレーションターゲットと圧力バランスの取れたプレスプレートは、パネル全体に均等に力を分散させ、層のずれを減らします。
各ラミネート層とプリプレグ層が最終的な基板厚に寄与します。個々のシートのわずかな厚さのずれは、10層にわたって積み重なります。厳格な受け入れ材料検査により、層ごとの厚さ公差を管理し、最終的な基板がターゲットの2.5mm厚を一貫して達成できるようにします。
アドレス
6-11C Shidai Jingyuan、Fuyong、Baoan、シンセン、広東省、中国518103
電話
86-755-27374847
電子メール
sales10@bichengpcb.com
